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2025年下半年電子傳統(tǒng)旺季來(lái)臨，NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格穩(wěn)步上升，根據(jù)業(yè)界最新預(yù)測(cè)，第三季NAND Flash漲價(jià)已成定局，其中，512Gb以下產(chǎn)品預(yù)估漲幅超過(guò)15％，1Tb以上高容量產(chǎn)品漲幅則落在5％至10％之間。

廠商分析，此次漲價(jià)主要受到自2024年下半年起，原廠持續(xù)減產(chǎn)的策略推動(dòng)，包括美光、SanDisk等大廠，陸續(xù)大幅縮減NAND晶圓投片量，供給緊縮效應(yīng)快速顯現(xiàn)，帶動(dòng)市場(chǎng)價(jià)格明顯反彈。

根據(jù)市場(chǎng)最新報(bào)價(jià)，256Gb、512Gb與1Tb TLC Flash Wafer價(jià)格，已分別上漲至每片2.75美元、3.05美元與5.60美元。

其中，512Gb以下產(chǎn)品，預(yù)期漲幅最顯著，主要原因?yàn)?，這類產(chǎn)品長(zhǎng)期以來(lái)利潤(rùn)偏低，是NAND原廠減產(chǎn)的首選對(duì)象，導(dǎo)致供應(yīng)明顯收斂。

其次，中低容量NAND仍廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、USB、存儲(chǔ)卡、IoT設(shè)備與工控設(shè)備等市場(chǎng)，終端需求穩(wěn)定存在。

第三，制程技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)也造成產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整，隨著廠商將更多資源投入于高容量QLC產(chǎn)品開發(fā)，原本以TLC為主的成熟制程產(chǎn)出逐步轉(zhuǎn)向，導(dǎo)致低容量晶圓供應(yīng)快速緊縮。

第四，與企業(yè)級(jí)高容量產(chǎn)品多數(shù)采長(zhǎng)約制度不同，512Gb以下產(chǎn)品，多數(shù)流通于模塊與分銷市場(chǎng)，原本庫(kù)存水位偏低，價(jià)格對(duì)供需變動(dòng)反應(yīng)更快。

第五，這類產(chǎn)品在過(guò)去兩年跌幅最大，跌破現(xiàn)金成本的情況普遍存在，形成較大的回彈空間。

業(yè)界人士指出，受原廠全面減產(chǎn)影響，NAND Flash供應(yīng)緊張態(tài)勢(shì)，預(yù)料將延續(xù)至2025年下半年，甚至有可能持續(xù)至2026年。

盡管市場(chǎng)回溫，對(duì)供應(yīng)商運(yùn)營(yíng)有正面助益，但也為下游系統(tǒng)廠與品牌客戶帶來(lái)新的挑戰(zhàn)，包含成本上升、備貨策略調(diào)整與供應(yīng)鏈韌性配置等。

總體來(lái)看，2025年下半年NAND Flash市場(chǎng)進(jìn)入“量縮價(jià)揚(yáng)”格局，制造商以產(chǎn)能管控為主軸，成功推升價(jià)格走勢(shì)，市場(chǎng)結(jié)構(gòu)明顯改善。